深能級(jí)瞬態(tài)譜儀集成多種自動(dòng)的測(cè)量模式及全面的數(shù)據(jù)分析，可以確定雜質(zhì)的類(lèi)型、含量以及隨深度的分布，也可用于光伏太陽(yáng)能電池領(lǐng)域中，分析少子壽命和轉(zhuǎn)化效率衰減的關(guān)鍵性雜質(zhì)元素和雜質(zhì)元素的晶格占位，確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。

   該儀器測(cè)量界面態(tài)速度快，精度高，是生產(chǎn)和科研中可廣為應(yīng)用的測(cè)試技術(shù)。隨著電腦技術(shù)的發(fā)展，使得在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行復(fù)雜計(jì)算成為可能，在純指數(shù)發(fā)射過(guò)程模型的基礎(chǔ)上，用各種數(shù)學(xué)模型分析測(cè)量到的瞬態(tài)過(guò)程，如傅里葉轉(zhuǎn)換、拉普拉斯轉(zhuǎn)換、多指數(shù)瞬態(tài)擬合、ITS（等溫瞬態(tài)光譜）信號(hào)重疊法、溫度掃描信號(hào)重疊法（重折疊）。

   深能級(jí)瞬態(tài)譜儀是半導(dǎo)體領(lǐng)域研究和檢測(cè)半導(dǎo)體雜質(zhì)、缺陷深能級(jí)、界面態(tài)等的重要技術(shù)手段。根據(jù)半導(dǎo)體P-N 結(jié)、金－半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容（△C～t）技術(shù)和深能級(jí)瞬態(tài)譜的發(fā)射率窗技術(shù)測(cè)量出的深能 級(jí)瞬態(tài)譜，深能級(jí)瞬態(tài)譜儀是一種具有高檢測(cè)靈敏度(檢測(cè)靈敏度通常為半導(dǎo)體材料中摻雜濟(jì)濃度的萬(wàn)分之一)的實(shí)驗(yàn)方法，能檢測(cè)半導(dǎo)體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級(jí)及界面態(tài)。

   通過(guò)對(duì)樣品的溫度掃描，可以給出表征半導(dǎo)體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級(jí)及界面態(tài)隨溫度（即能量）分布的譜儀，集成多種全自動(dòng)的測(cè)量模式及全面的數(shù)據(jù)分析，可以確定雜質(zhì)的類(lèi)型、含量以及隨深度的分布。深能級(jí)瞬態(tài)譜儀測(cè)量界面態(tài)速度快，精度高，是生產(chǎn)和科研中可廣為應(yīng)用的測(cè)試技術(shù)，自動(dòng)連線檢測(cè)；自動(dòng)電容補(bǔ)償功能，探測(cè)靈敏度高瞬態(tài)電流測(cè)量；傅里葉轉(zhuǎn)化功能。     

   利用該系統(tǒng)，深能級(jí)瞬態(tài)譜儀測(cè)量了多晶硅太陽(yáng)能電池的電容-溫度曲線。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)當(dāng)電池兩端外加反向偏壓為-400mV時(shí)，有4個(gè)明顯深能級(jí)，通過(guò)改變選定的率窗t1、t2，得到了多晶硅太陽(yáng)能電池雜質(zhì)能級(jí)的相關(guān)物理信息。