深能級(jí)瞬態(tài)譜儀是檢測(cè)半導(dǎo)體材料中深能級(jí)雜質(zhì)和晶體缺陷有用的方法，可用于檢測(cè)太陽(yáng)能電池材料中的各種雜質(zhì)和缺陷，包括金屬雜質(zhì)以及點(diǎn)缺陷和位錯(cuò)的等各種缺陷類型，從而分析影響少子壽命的關(guān)鍵性雜質(zhì)元素和缺陷。

　　深能級(jí)瞬態(tài)譜是半導(dǎo)體領(lǐng)域研究和檢測(cè)半導(dǎo)體雜質(zhì)、缺陷深能級(jí)、界面態(tài)等的重要技術(shù)手段，根據(jù)半導(dǎo)體P-N 結(jié)、金-半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容技術(shù)和深能級(jí)瞬態(tài)譜的發(fā)射率窗技術(shù)測(cè)量出的深能級(jí)瞬態(tài)譜，是一種具有很高檢測(cè)靈敏度的實(shí)驗(yàn)方法，能檢測(cè)半導(dǎo)體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級(jí)及界面態(tài)，通過對(duì)樣品的溫度掃描，可以給出表征半導(dǎo)體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級(jí)及界面態(tài)隨溫度（即能量） 分布譜。

　　深能級(jí)瞬態(tài)譜儀集成多種全自動(dòng)的測(cè)量模式及全面的數(shù)據(jù)分析，可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布，也可用于光伏太陽(yáng)能電池領(lǐng)域中，分析少子壽命和轉(zhuǎn)化效率衰減的關(guān)鍵性雜質(zhì)元素和雜質(zhì)元素的晶格占位，確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命，該儀器測(cè)量界面態(tài)速度快，精度高，是生產(chǎn)和科研中可廣為應(yīng)用的測(cè)試技術(shù)。

　　半導(dǎo)體技術(shù)的一個(gè)重要目標(biāo)是減少構(gòu)成所有半導(dǎo)體器件中，晶體、多晶和非晶層中固有的和由工藝引起的缺陷，雜質(zhì)、晶界、晶面等引起的缺陷導(dǎo)致陷阱的產(chǎn)生，陷阱可以俘獲自由電子和空穴。深能級(jí)瞬態(tài)光譜是現(xiàn)在一種通用的技術(shù)，用于測(cè)定與陷阱相關(guān)的幾乎所有參數(shù)，包括密度、熱界面（熱發(fā)射率）、能級(jí)和空間剖面。

　　主要特點(diǎn)

　　1、快速而靈敏地檢測(cè)半導(dǎo)體中的電活性缺陷。

　　2、具有低至3微秒的快速響應(yīng)時(shí)間。

　　3、具有對(duì)過載的快速恢復(fù)能力以及對(duì)泄露電流的高免疫能力。

　　4、快速溫度掃描能力：每8分鐘100K且不影響靈敏度。

　　5、單次溫度掃描可同時(shí)記錄不同發(fā)射率窗下的8幅譜圖。

　　6、數(shù)字采集包括：16位分辨率，1毫秒的采樣增量，50倍的時(shí)間跨度，和不限平均點(diǎn)數(shù)的平均瞬態(tài)。