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量子效率測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：符合CE標(biāo)準(zhǔn)。符合性：適用于根據(jù)ASTM E 1021-15、ASTM E948、IEC 60904-8、IEC 60904-1進(jìn)行測(cè)量。

管式太陽(yáng)能模擬器測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：符合CE標(biāo)準(zhǔn)，分類標(biāo)準(zhǔn)：ASTM E927-19。應(yīng)用：衛(wèi)星太陽(yáng)負(fù)載測(cè)試、光化學(xué)、材料表征、退化測(cè)試、光伏測(cè)試、加速老化測(cè)試、熱能儲(chǔ)存系統(tǒng)測(cè)試（高通量）。

濕法晶電鍍晶圓卡盤，濕蝕刻或電沉積過(guò)程中用于背面保護(hù)的濕處理晶片卡盤：我們?yōu)橹睆皆?英寸至200毫米之間、厚度在所需范圍內(nèi)的晶片制造卡盤。

靜電吸盤設(shè)備對(duì)于研發(fā)機(jī)構(gòu)來(lái)說(shuō)非常有用，因?yàn)檠邪l(fā)機(jī)構(gòu)并不總是能夠處理完整的晶圓。芯片的靜電夾緊允許在氫fu酸蒸汽釋放之前對(duì)MEMS晶片進(jìn)行苛刻的切割過(guò)程。通過(guò)修改經(jīng)典的制造順序，可以在輕腐蝕性液體下刻蝕出MEMS器件。

氫fu酸氣相刻蝕機(jī)（VPE）系統(tǒng)是一種潔凈室微細(xì)加工設(shè)備。氫fu酸蒸汽通過(guò)對(duì)二氧化硅層進(jìn)行熱控制蝕刻，實(shí)現(xiàn)了MEMS的無(wú)粘滯刻蝕。 我們提供一系列氫fu酸（HF）氣相蝕刻（VPE）產(chǎn)品。

高溫真空爐，爐膛功率由具有限流器、功率反饋控制和堅(jiān)固降壓變壓器的保守額定SCR功率控制器控制。內(nèi)部鎧裝熱電偶向數(shù)字溫度編程器提供反饋，并發(fā)出“故障安全”超溫報(bào)警。包括一個(gè)帶USB連接的面板安裝式TFT圖表記錄器。

等離子體清洗機(jī)是可以廣泛應(yīng)用于印刷包裝、硅橡膠制品、玻璃精密、電線電纜、電子數(shù)碼、汽車制造、醫(yī)療生物，紡織工業(yè)、復(fù)合材料和新能源等幾乎所有的工業(yè)領(lǐng)域的機(jī)械設(shè)備。

氦檢漏系統(tǒng)，專為在工業(yè)或?qū)嶒?yàn)室環(huán)境中使用空氣-氦氣混合物的正內(nèi)部加壓對(duì)壓力容器和流體連接管線進(jìn)行精確有效的泄漏測(cè)試而設(shè)計(jì)。