合金納米顆粒UHV沉積源是納米顆粒沉積源，可在超高真空中將純納米顆粒和合金納米顆粒沉積到樣品上，從而形成功能性涂層。

此外，我們可以通過精確控制納米顆粒的大小、組成和結(jié)構(gòu)來定制納米顆粒涂層的性能。此外，還提供以下源：單個(gè) 1英寸源（NL-D1）、一個(gè) 2 英寸源 （NL-D2） 或三個(gè) 1 英寸源（NL-D3）。最后，我們可以將這些源集成到您現(xiàn)有的 PVD 系統(tǒng)中，或?qū)⑺鼈兗傻轿覀兌ㄖ频?真空系統(tǒng)中。

合金納米顆粒UHV沉積源主要特點(diǎn)

• 沉積純合金、無碳?xì)浠衔?、非團(tuán)聚的納米顆粒。

• 實(shí)現(xiàn)亞單層或高孔隙率 3-D 納米涂層。

• NL-D3 可同時(shí)使用兩種或三種材料沉積多達(dá)三種材料，無論是單獨(dú)沉積還是合金材料。

• 所有源均與 DC 和 Pulsed DC 電源兼容。

• 通過調(diào)整各種工藝參數(shù)（如氣體流量、氣體類型、磁控管功率和聚集長度 （Lg））或改變聚集區(qū)孔徑的大小，來控制納米顆粒涂層的性能。

使用四極桿質(zhì)譜儀控制納米粒徑

 質(zhì)量過濾器能夠按質(zhì)量或直徑實(shí)時(shí)掃描或過濾沉積的納米顆粒，從而促進(jìn)生長條件的優(yōu)化。

突出
? 在 1 – 20 nm 范圍內(nèi)調(diào)整納米粒徑分布。

? 將納米涂層層密度從亞單層修改為 3D 納米多孔覆蓋，促進(jìn)涂層從松散結(jié)合到緊密粘附。

? 管理納米顆粒的形狀和結(jié)構(gòu)，從結(jié)晶形式過渡到無定形形式。

? 對(duì)飛行中的納米顆粒進(jìn)行質(zhì)譜分析，范圍為 100 – 106AMU 的。

? 實(shí)現(xiàn)納米顆粒粒度過濾，質(zhì)量分辨率精度為 +/-2%。

控制軟件
通過簡單且用戶友好的 Windows™ 軟件界面進(jìn)行操作。

突出

選擇