深能級(jí)瞬態(tài)譜（Deep Level Transient Spectroscopy）是半導(dǎo)體領(lǐng)域研究和檢測(cè)半導(dǎo)體雜質(zhì)、缺陷深能級(jí)、界面態(tài)等的重要技術(shù)手段。根據(jù)半導(dǎo)體P-N 結(jié)、金－半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容（△C～t）技術(shù)和深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS）的發(fā)射率窗技術(shù)測(cè)量出的深能級(jí)瞬態(tài)譜，是一種具有較高檢測(cè)靈敏度(檢測(cè)靈敏度通常為半導(dǎo)體材料中摻雜濟(jì)濃度的萬(wàn)分之一)的實(shí)驗(yàn)方法，能檢測(cè)半導(dǎo)體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級(jí)及界面態(tài)。通過(guò)對(duì)樣品的溫度掃描，可以給出表征半導(dǎo)體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級(jí)及界面態(tài)隨溫度（即能量）分布的DLTS 譜。集成多種全自動(dòng)的測(cè)量模式及全面的數(shù)據(jù)分析，可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布。
Semetrol DLTS集成多種自動(dòng)的測(cè)量模式及全面的數(shù)據(jù)分析，可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布，也可用于光伏太陽(yáng)能電池領(lǐng)域中，分析少子壽命和轉(zhuǎn)化效率衰減的關(guān)鍵性雜質(zhì)元素和雜質(zhì)元素的晶格占位，確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。該儀器測(cè)量界面態(tài)速度快，精度高，是生產(chǎn)和科研中可廣為應(yīng)用的測(cè)試技術(shù)．

深能級(jí)瞬態(tài)譜儀主要特點(diǎn) :
• 自動(dòng)連線檢測(cè)；
• 自動(dòng)電容補(bǔ)償功能；
• 探測(cè)靈敏度高
• 瞬態(tài)電流測(cè)量；
• 深能級(jí)瞬態(tài)譜分析；

深能級(jí)瞬態(tài)譜儀應(yīng)用領(lǐng)域 :
•檢測(cè)Si、ZnO、GaN等半導(dǎo)體材料中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級(jí)及界面態(tài)。

Semetrol DLTS系統(tǒng)配置:
- 脈沖發(fā)生器
電壓范圍： ±10 V (±102 V opt.)
脈沖寬度：1 µs - 1000 s
- 電容測(cè)量
高頻信號(hào):    50KHz
電容范圍 ：1pF-100nF

靈敏度：1 fF
-電壓測(cè)量：
范圍 ±10 V
靈敏度 < 1 µV

溫度范圍：30K~700K
電阻范圍：0.1 mOhm - 10 GOhm

多種測(cè)量模式可選：
C-DLTS（電容模式）

O-DLTS （光激發(fā)模式）

I-DLTS （電流模式）

DD-DLTS （雙關(guān)聯(lián)模式）

Zerbst-DLTS （Zerbst模式）

FET-Analysis （FET分析）

MOS-Analysis （MOS分析）

ITS (等溫瞬態(tài)譜)

Trap profiling

CCSM（俘獲截面測(cè)量）

I/V,I/V(T) （查理森Plot分析）

C/V, C/V(T)

TSC/TSCAP

PITS (光子誘導(dǎo)瞬態(tài)譜)

DLOS (特殊系統(tǒng)）