表面光電壓譜主要應(yīng)用于半導(dǎo)體材料或者器件的TPV測(cè)試和機(jī)理分析，光催化材料TiO2、C3N4、CdS、磷化物等、催化材料、分子篩、太陽(yáng)能電池（單晶、多晶、染料敏化、鈣鈦礦）、光電化學(xué)的TPV、電化學(xué)材料的TPV等。

　　光電壓譜采用白光偏置光路激發(fā)材料；大功率*脈沖激光器；采用專有技術(shù)的電磁屏蔽，無(wú)任何外界干擾；測(cè)試光路，水平與垂直可任意在線切換，實(shí)現(xiàn)固體樣品和液體樣品均可測(cè)試分析。光生載流子動(dòng)力學(xué)主要測(cè)試技術(shù)，載流子動(dòng)力學(xué)測(cè)試技術(shù)主要有電學(xué)和譜學(xué)兩類.電學(xué)方法主要是光電化學(xué)，測(cè)量方式又分時(shí)間域和頻率域，時(shí)間域方法主要有瞬態(tài)光電壓（TPV）和瞬態(tài)光電流（TPC），頻率域方法主要有電化學(xué)阻抗譜（EIS）和光強(qiáng)度調(diào)制光電壓譜（IPVS）和光強(qiáng)度調(diào)制光電流譜（IMPS）等。

　　光譜是研究半導(dǎo)體光生載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程和反應(yīng)歷程的強(qiáng)有力手段之一，它可以獲得半導(dǎo)體體內(nèi)光生載流子產(chǎn)生、俘獲、復(fù)合、分離過(guò)程的重要微觀信息。光電壓譜從某一穩(wěn)定工作狀態(tài)過(guò)渡到另一穩(wěn)定工作狀態(tài)的過(guò)程中所出現(xiàn)的瞬態(tài)現(xiàn)象，或?qū)﹄A躍電流的響應(yīng)。主要有激射延遲、張弛振蕩和自脈動(dòng)，這些現(xiàn)象限制著半導(dǎo)體激光器振幅調(diào)制或頻率調(diào)制的性能，特別是高調(diào)制速率。

　　光電壓譜給出了不同樣品光生電荷分離的動(dòng)力學(xué)信息，正向光伏信號(hào)代表光生電子由表面向內(nèi)部轉(zhuǎn)移，通常半導(dǎo)體材料的瞬態(tài)光伏分為漂移和擴(kuò)散過(guò)程，分別對(duì)應(yīng)短時(shí)間范圍和長(zhǎng)時(shí)間范圍的光伏信號(hào)。表面光電壓譜經(jīng)棱鏡分光后被分別射入光電倍增管和樣品池中，激光強(qiáng)度通過(guò)漸變圓形中性濾光片進(jìn)行調(diào)節(jié). 光電倍增管記錄參比信號(hào)，樣品信號(hào)經(jīng)放大器的數(shù)字示波器進(jìn)行記錄，樣品池由具有良好屏蔽電磁噪音的材料制成。

　　瞬態(tài)光電壓研究光生電子的傳輸行為，其光電壓響應(yīng)包括上升和衰退兩部分，光電壓上升部分在物理上對(duì)應(yīng)于電極導(dǎo)電基底電子濃度增加（類似于電容充電過(guò)程），此過(guò)程由光生電子擴(kuò)散到達(dá)基底引起，光電壓下降部分主要對(duì)應(yīng)于電子離開(kāi)導(dǎo)電基底的復(fù)合過(guò)程（類似于電容放電過(guò)程）光生載流子動(dòng)力學(xué)。