深能級瞬態(tài)譜儀是半導體領(lǐng)域研究和檢測半導體雜質(zhì)、缺陷深能級、界面態(tài)等的重要儀器。根據(jù)半導體P-N結(jié)、金－半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容（△C～t）技術(shù)和深能級瞬態(tài)譜（DLTS）的發(fā)射率窗技術(shù)測量出的深能級瞬態(tài)譜，是一種具有高檢測靈敏度(檢測靈敏度通常為半導體材料中摻雜濟濃度的萬分之一)的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。

　　通過對樣品的溫度掃描，可以給出表征半導體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度（即能量）分布的DLTS譜，集成多種全自動的測量模式及全面的數(shù)據(jù)分析，可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布。深能級瞬態(tài)譜儀集成多種自動的測量模式及全面的數(shù)據(jù)分析，可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布，也可用于光伏太陽能電池領(lǐng)域中。

　　該儀器測量界面態(tài)速度快，精度高，是生產(chǎn)和科研中可廣泛應(yīng)用的測試技術(shù)，自動連線檢測，自動電容補償功能，探測靈敏度高，瞬態(tài)電流測量，深能級瞬態(tài)譜分析，可調(diào)的混合比例，1：1到1：100。

　　隨著電腦技術(shù)的發(fā)展，使得在短時間內(nèi)進行復雜計算成為可能，在純指數(shù)發(fā)射過程模型的基礎(chǔ)上，用各種數(shù)學模型分析測量到的瞬態(tài)過程，如傅里葉轉(zhuǎn)換、拉普拉斯轉(zhuǎn)換、多指數(shù)瞬態(tài)擬合、ITS（等溫瞬態(tài)光譜）信號重疊法、溫度掃描信號重疊法（重折疊）。

　　深能級瞬態(tài)譜儀可更換SFM附件，應(yīng)用于：化學淬滅，光學淬滅以及光學延時，冷凍淬滅，X-射線散射停流，中子色散停流，EPR停流，低溫停流，自動滴定，停流電導，快速混合溫度突變系統(tǒng)，微重力實驗研究等。