電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)

儀器簡介：

全球?qū)I(yè)的沉積設(shè)備制造商，為各個(gè)領(lǐng)域的客戶提供*的薄膜沉積解決方案：電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng)、分子束外延MBE、有機(jī)分子束沉積OMBD、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)PECVD/ICP Etcher、電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、離子泵等；


E -Beam Evaporation System
2.高真空統(tǒng)High Vacuum E -Beam Evaporation System
3.超高真空Ultra-high Vacuum (UHV) E -Beam Evaporation System
4.離子輔助蒸發(fā)系統(tǒng)Ion Beam Assisted Evaporation System
5.離子電鍍系統(tǒng)Ion Plating System
6.Cluster Tool E -Beam Evaporation System
7.在線電子束蒸發(fā)系統(tǒng)In-line E -Beam Evaporation System

電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)：

1.電子束源&電源
     單個(gè)或者可自由切換換電子束源：
      --蒸發(fā)室數(shù)量 1 ~ 12(標(biāo)配: 4, 6)
      --坩堝容量：7 ~ 40 cc (最大可達(dá)200 cc)
      --標(biāo)準(zhǔn)：25 cc (4 or 6 Pocket), 40 cc (4 Pocket)
      --最大：200 cc (156cc for UHV) 可用于長時(shí)間的沉積
      --偏轉(zhuǎn)角度：180o, 270o
      --輸出功率：6, 10, 15, 20 kW
      --支持兩個(gè)或者三個(gè)電子束源在一個(gè)系統(tǒng)上
      --可連續(xù)或者同時(shí)沉積兩種或三種材料
      --高速率沉積

   2.薄膜沉積控制：
     IC-5 ( or XTC, XTM) 和計(jì)算機(jī)控制
     --沉積過程參數(shù)可控
     --石英晶體振蕩傳感器
     --光學(xué)檢測系統(tǒng)用于光學(xué)多層薄膜沉積：測量波長范圍350-2000 nm，分辨率1 nm
     --薄膜厚度檢測和處理過程可通過計(jì)算機(jī)程序控制
     --薄膜厚度檢測和沉積速率可通過計(jì)算機(jī)程序控制
     --支持大面積沉積
     --支持在線電子束蒸發(fā)沉積
     --基底尺寸：20~100英寸
     --薄膜均勻性 <±1.0 to 5.0 %

   3.真空腔體：
     --圓柱形腔體
     --直徑：φ500 ~ 1,500 mm
     --高度：800 ~ 1500 mm
     --方形腔體
     --根據(jù)客戶的需求定制

   4.真空泵和測量裝置：
     --低真空：干泵和convectron真空規(guī)
     --高真空：渦輪分子泵，低溫泵和離子規(guī)
     --超高真空：雙級渦輪分子泵，離子泵和離子規(guī)

   5.控制系統(tǒng)PLC和 觸摸屏計(jì)算機(jī)：
     --硬件: PLC, 觸摸屏計(jì)算機(jī)
     --包括模擬和數(shù)字輸入/輸出卡
     --顯示器: LCD
     --自動(dòng)和手動(dòng)程序控制
     --程序控制：加載，編輯和保存
     --程序激活控制：
     --泵抽真空，蒸發(fā)沉積，加熱， 旋轉(zhuǎn)等
     --膜厚度檢測和控制多層薄膜沉積
     --系統(tǒng)狀態(tài)，數(shù)據(jù)加載等
     --問題解答和聯(lián)動(dòng)狀態(tài)

擴(kuò)展功能：

1、質(zhì)量流量控制器：反應(yīng)和等離子體輔助惰性氣體控制
   2、離子源和控制器：等離子體輔助沉積
   3、射頻電源：基底預(yù)先處理
   4、溫度控制器：基底加熱
   5、熱蒸發(fā)器：1 or 2 boat
   6、蒸鍍源cell：1 or 2 for doping
   7、冷卻器：系統(tǒng)冷卻