該臺(tái)式原子層沉積鍍膜系統(tǒng)ALD擁有達(dá)到或超過市場上其他品牌的功能，同時(shí)易于使用和維護(hù) - 成本低于當(dāng)今市場上的價(jià)格

腔室溫度：室溫到325°C±1°C;

前軀體溫度從室溫到 150 °C ± 2 °C（帶加熱夾套）

市場上最小的占地面積（2.5 平方英尺），臺(tái)式 安裝和潔凈室兼容

簡單的系統(tǒng)維護(hù)和實(shí)用程序和 市場上的前體使用

流線型腔室設(shè)計(jì)和小腔室體積

快速循環(huán)能力

全硬件和軟硬件聯(lián)鎖，即使操作安全 在多用戶環(huán)境中

臺(tái)式原子層沉積鍍膜系統(tǒng)用于電子顯微鏡的樣品通常受益于薄膜的添加。它通常是導(dǎo)電材料，例如Pt，Pd或Au。這些導(dǎo)電層有助于抑制電荷，減少局部光束加熱引起的熱損傷，并改善二次電子信號(hào)。

傳統(tǒng)上，這些薄膜是使用PVD技術(shù)生長的。隨著技術(shù)的進(jìn)步，某些類型的樣品不能通過PVD提供，因?yàn)樾枰繉拥奶卣鳠o法進(jìn)入現(xiàn)場生長線。

研究人員將受益于ALD生長的導(dǎo)電薄膜，因?yàn)橐呀?jīng)開發(fā)出針對小樣品導(dǎo)電金屬生長進(jìn)行了優(yōu)化的系統(tǒng)（與臺(tái)式濺射的價(jià)格點(diǎn)相同）

為保形導(dǎo)電薄膜提供了用于 3D 樣品制備的解決方案，同時(shí)還提供目前使用濺射/蒸發(fā)生長的傳統(tǒng) 2D 鍍膜。我們不僅突破了界限，而且是當(dāng)前樣品制備過程的有效替代品，所有這些都在臺(tái)式配置中，價(jià)格相當(dāng)。

熱ALD / PEALD

沉積工藝：
金屬：Ru、Ti、Co、…

氧化物：Al2O3、HfO2、TiO2、SnO2、NiOx、ZnO、ZrO、SiO2、RuO、，。。。

氮化物：TiN、TaN等，。。

基板尺寸：工件最大為6英寸

源注入：雙型噴頭

基板加熱器溫度：RT至最高350℃（@晶片）

前軀體化學(xué)源數(shù)量：3套

源瓶加熱：RT至150℃

射頻功率：600W@13.56Mhz

極限壓力：≤5.0×10-3乇

泵：干式泵或旋轉(zhuǎn)泵

沉積均勻度：≤±3%

系統(tǒng)控制：PC控制（UPRO軟件）

可選 源瓶加熱溫度200℃

尺寸（寬*長*高）850mm*720mm*600mm